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IRF6644
100
100
6.0V
10
6.0V
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
10
TOP
BOTTOM
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 4. Typical Output Characteristics
100.00
2.0
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Output Characteristics
10.00
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = -40°C
I D = 10.3A
VGS = 10V
1.5
1.00
0.10
VDS = 10V
≤ 60μs PULSE WIDTH
1.0
0.01
3.0        4.0        5.0        6.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 6. Typical Transfer Characteristics
7.0
0.5
-60 -40 -20 0 20  40  60  80 100 120 140 160
TJ , Junction Temperature (°C)
Fig 7. Normalized On-Resistance vs. Temperature
100000
10000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
20
16
ID= 6.2A
VDS = 50V
VDS= 20V
Ciss
12
1000
100
Coss
Crss
8
4
10
1
10
100
0
0
20
40
60
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage
4
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 9. Typical Total Gate Charge vs
Gate-to-Source Voltage
www.irf.com
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